外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱(chēng)為死區。這個(gè)不能使二極管導通的正向電壓稱(chēng)為死區電壓。當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場(chǎng)被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變，這個(gè)電壓稱(chēng)為二極管的正向電壓。當二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數值 ，內電場(chǎng)很快被削弱，特性電流迅速增長(cháng)，二極管正向導通。 叫做門(mén)坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。

外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數載流子漂移運動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。這個(gè)反向電流又稱(chēng)為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時(shí)，半導體受熱激發(fā)，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。

擊穿

外加反向電壓超過(guò)某一數值時(shí)，反向電流會(huì )突然增大，這種現象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向導電性。如果二極管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向導電性不一定會(huì )被永久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。

二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管因為燈絲的熱損耗，效率比晶體二極管低，所以現已很少見(jiàn)到，比較常見(jiàn)和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著(zhù)重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。

二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類(lèi)型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發(fā)光二極管正向管壓降會(huì )隨不同發(fā)光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0--2.2V，黃色發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V，綠色發(fā)光二極管的壓降為3.0—3.2V，正常發(fā)光時(shí)的額定電流約為20mA。

二極管的電壓與電流不是線(xiàn)性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時(shí)候要接相適應的電阻。

特性曲線(xiàn)

與PN結一樣，二極管具有單向導電性。硅二極管典型伏安 特性曲線(xiàn)（圖）。在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時(shí)，電流極??；當電壓超過(guò)0.6V時(shí)，電流開(kāi)始按指數規律增大，通常稱(chēng)此為二極管的開(kāi)啟電壓；當電壓達到約0.7V時(shí)，二極管處于完全導通狀態(tài)，通常稱(chēng)此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示。

對于鍺二極管，開(kāi)啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)始急劇增大，稱(chēng)之為反向擊穿，稱(chēng)此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。

齊納擊穿

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢壘區內共價(jià)鍵結構，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。

雪崩擊穿

另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結永久性損壞。

二極管是最常用的電子元件之一，它最大的特性就是單向導電，也就是電流只可以從二極管的一個(gè)方向流過(guò)，二極管的作用有整流電路，檢波電路，穩壓電路，各種調制電路，主要都是由二極管來(lái)構成的，其原理都很簡(jiǎn)單，正是由于二極管等元件的發(fā)明，才有我們現 在豐富多彩的電子信息世界的誕生，既然二極管的作用這么大那么我們應該如何去檢測這個(gè)元件呢，其實(shí)很簡(jiǎn)單只要用萬(wàn)用表打到電阻檔測量一下反向電阻如果很小就說(shuō)明這個(gè)二極管是壞的，反向電阻如果很大這就說(shuō)明這個(gè)二極管是好的。對于這樣的基礎元件我們應牢牢掌握住他的作用原理以及基本電路，這樣才能為以后的電子技術(shù)學(xué)習打下良好的基礎。

晶體二極管為一個(gè)由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當不存在外加電壓時(shí)，由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，pn結空間電荷層中的電場(chǎng)強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數值很大的反向擊穿電流，稱(chēng)為二極管的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。